全部资讯

近日，广东紫粤半导体有限公司（下称“紫粤半导体”）正式成立，法定代表人王和生，注册资本1亿人民币。天眼查app显示，该公司经营范围含集成电路芯片设计及服务，集成电路芯片及产品制造等。紫光集团对紫粤半导体持股80%。股东信息显示，其余20%股份由广州湾区半导体产业集团有限公司持有。股权穿透后可看到，广州湾区半导体产业集团背后出资人包括广州经济技术开发区管理委员会、广东省财政厅等。据知情人士透露，在广

2022年末，PConline资深编辑携手业界专家和平台用户共同进行上千款潮玩好物点评，为DIY玩家们整理硬核高性能硬件配件榜单。金泰克速虎TP3500SE固态硬盘从上千款产品中脱颖而出，获得PConline2022智臻科技奖SSD品类《V选百强好物》奖项——甄选性能小钢炮称号！（太平洋2022智臻科技奖）太平洋电脑网根据产品热度、电商数据等维度挑选上千款产品进入2022智臻科技奖的评选中，经过线

·以“绿色数字解决方案”为主题，介绍主力/新内存阵容·展示超高性能企业SSD，强化服务器用存储器市场领先企业地位·“提出解决客户痛点的方案”2022年12月27日，SK海力士今日表示，公司将参与明年1月5日至8日在美国拉斯维加斯举行的世界最大的电子、IT展示会——“CES2023”，展示主力存储器产品和新的产品阵容。SK海力士强调：“在此次CES上，公司同步SK集团的‘无碳未来’方向，决定将大幅减

三十余年来，国防和航空航天领域工作的行业客户一直依赖APEXMicrotechnology功率运算放大器、开关(PWM)放大器和精密电压基准来满足操作环境的严苛需求。APEX产品提供商业/工业级产品，部分型号同时提供非兼容的“M”级（高可靠性）或完全兼容“M/883”等级产品。APEX产品按照具体工作温度范围分为四级：商业级、工业级、非兼容“M”级和“M/883”兼容军用级。根据应用，如果工作环境

12月26日，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军教授在“中国集成电路设计业2022年会暨厦门集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD2022）”上作了题为《以持续创新赢得美好未来》的主旨报告。魏少军教授分别从芯片设计企业数量、设计产业销售情况、主要区域发展情况、设计企业人员情况、以及产品领域分布等方面介绍了2022年中国设计业总体发展情况。以下为报告全文：

12月25日，据台媒报道，台积电总裁魏哲家此前预告“3纳米今年内在台湾地区量产”的承诺即将兑现。12月23日，台积电发出活动邀请，12月29日将在南科举办3纳米量产暨扩厂典礼。此前，魏哲家在法说会上提到，3纳米进度符合预期，具备良好良率并将在第四季度量产，在高速运算和智能手机应用驱动下，客户对3纳米需求超过产能。此外，魏哲家承诺2纳米工艺2025年量产时会是“最领先的技术”。台积电多次预告今年内在

此前据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询12月15日研究显示，2022年第三季全球前十大IC设计业者营收达373.8亿美元，环比减少5.3%，全球IC设计产业营收动能下滑。TrendForce集邦咨询表示，IC设计业者受产品组合规划不同，如数据中心、网络、物联网、汽车等产品组合需求稳定，但消费电子、面板、挖矿等需求走弱，终端拉货力道缩手影响，营收互有增减。然而，面对低迷的市况，第三季半数

2022年12月14日，中国----服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司STM意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)发布了可提高电动汽车性能和续航里程的大功率模块。意法半导体的新碳化硅(SiC)功率模块已用在现代汽车公司的E-GMP电动汽车平台，以及共享该平台的起亚EV6等多款车型。意法半导体新推出的五款基于碳化硅MOSFET的功率模块为

文章介绍了采用表面贴装封装设计LITTLEFOOT®功率MOSFET的过程。它描述了功率MOSFET的驱动电感性负载，公共栅极驱动器以及磁盘驱动器应用以及公共栅极级的驱动电容性负载。VishaySiliconix的LITTLEFOOT功率MOSFET将强大的功率处理能力封装在纤巧的表面贴装封装中。标准概述的8引脚SOIC封装（图1）具有铜引线框架，可最大程度地提高热传递，同时保持与现有表面贴装技术

1、决定开关电源寿命的元器件①电解电容器电解电容器的封口部位会漏出气化的电解液，这种现象会随着温度的升高而加速，一般认为温度每上升10℃，泄漏速度会提高至2倍。因此可以说电解电容器决定了电源装置的寿命。②风扇球形轴承及轴承的润滑油枯竭、机械装置部件的磨损，会加速风扇的老化。加之近年的DC风扇的驱动回路开始使用电解电容器等部件，所以有必要将回路部件寿命等因素也一并考虑进去。③光电耦合器电流传达率（C

平行动作(见图1，图2，图3，图4，图5)；与以上的垂直运动相结合(见图6，图7，图8，图9)；在我们探讨每一个方法前，首先要清楚各种状态干簧管及磁铁位置间的关系以及他们在开或合状态下的特性。根据干簧管尺寸与磁场强度的不同，开关的开合点也会有相应的改变。首先我们来先考虑磁铁与干簧管（磁簧开关）是平行安放的情况。图1，开关打开与闭合范围是表示为x轴和y轴。这些范围代表磁铁在干簧管附近沿着x轴运动的物

应用串行接口芯片扩展系统时，在初步选择了串行接口的芯片后，为了对芯片的资源更好地了解，开发者一般在系统设计前搭建一个简单的硬件电路并编制相应的软件对其测试，待性能验证后再确定最终的设计方案｡本文根据这一需要设计了一个用于串行总线芯片测试的实验平台｡该平台以PC机为人机接口､采用单片机产生芯片串行通信时序｡应用这一平台可以大大简化芯片使用前的测试过程｡这一平台也为单片机串行扩展的初学者提供了快捷的学

本文将介绍最基本的开关节点波形，助您了解如何在PCB路由时确定适当的开关（SW）节点走线尺寸，并了解开关节点中电场（E场）和磁场（H场）产生的近场耦合效应。开关节点波形在开始这部分关键走线的PCB设计之前，首先要了解开关节点上的电流和电压波形。尤其需要在布局之前先查看和了解开关电压、时变电流和开关频率的波形。我们以MPS的降压（buck）变换器MPQ4430为例进行说明（见图1）。降压变换器MPQ

工程师已经研究和开发了可以代替机械继电器的固态继电器设备。与机械继电器相比，这些固态继电器具有更高的可靠性，更快的切换时间，没有切换弹跳以及更小的尺寸。但是随着这些优点的出现，带来了使设计人员和用户不愿使用固态继电器的缺点。诸如较高的成本和较高的相对导通电阻的缺点。本文讨论了汽车级光伏驱动器和分立MOSFET，以形成光隔离的固态继电器。借助光伏驱动器，设计人员可以从广泛的汽车级MOSFET产品组合

本应用笔记是基于PC的温度测量系统的参考设计。它使用MAX1396和MAX6603EVKIT，MAXQ2000微控制器和MAX6603信号调理器。该设计提供了一种简便的方法，无需复杂的转换公式即可从MAX6603获取温度读数。提供了原理图，框图和软件。简介该参考设计概述了如何使用MAX1396，MAX6603EVKIT和MAXQ2000评估基于MAX6603信号调理器的基于PC的温度测量系统的步骤

随着Intel和AMD对DDR5的全面支持，以及新平台兼容性的优化提升，市面上DDR5产品如雨后春笋般涌现，更高的频率、更强的性能也开始成为各大厂商角力的焦点。此前，朗科发布了旗舰款Z系列DDR5内存，经过研发团队对DDR5潜力不断地挖掘，在6200MHz的基础上迎来更新，推出了高达8000MHz的规格频率，将于明年初正式上市。除了DDR5-8000MHz频率外，朗科Z系列还新增了DDR5-760

有一些网友学不好LM567的锁相环电路（主要是指我自己），主要是总是跑频，下面是一个网友发给我的电路，我感觉非常的好，就发上来分享了。本电路的巧处就在于它用的LM567的内部检测电路作频率发生，使电路和主频自动跟随校对。本电路可以用在自动干手机，无触点开关，距离感应器件上。原图有一些值没有写，我经过试验得出了实用的值，已经标在电路中。电路图：原理图下面是作者自己的话：当D2接收到D1发射出经反射物

几乎所有的电器、灯具和插座上只要带有电源开关必然会出现“|”和“O”两个符号如果只看符号判断“|”和“O”到底代表什么含义呢？你能分清哪个是电路联通哪个是电路断开吗？很多人认为“O”是通电，“|”是断电因为英语里开是OPEN很多开关也用ON代表“开”进阶版的认为“|”和“O”这两个符号是英文的“I/O”两个字母是input/output的缩写翻译过来就是输入和输出所以，当然“|”是通电，“O”是断

选择合作伙伴要谨慎。体积小、功率大的直流电机在集成化程度不断提高的系统研发过程中发挥了至关重要的作用。从医疗和实验室技术到航天、机器人、光学和光电学、以及工业机械和设备领域，这类电机在众多应用领域内都是理想的驱动技术。但只有在和减速箱、编码器以及运动控制器等其它部件组合的情况下，它们才能真正构成适合应用需求的驱动或定位系统。为了确保运行可靠性，正确选择配套部件至关重要。所有部件都必须与电机兼容，并

电气系统一直是汽车安全中比较敏感的单元，很多常见小问题均因电气系统的可靠性不能满足而产生。对于电动汽车而言，由于涵盖了更多的功能单位，包括牵引逆变器、温度控制和加热系统以及车载充电器，这些系统在完全不同的电压水平下运行，因此必须进行电气隔离（Galvanicisolation）。从过往经验来看，用于数据传输的电气隔离是通过光学技术借助LED源和光电二极管接收器实现的。但是，在以电动汽车为代表的汽车

JBS结构降低泄漏电流（IR）SBD是由半导体与金属的接合形成的。由于半导体和金属之间的势垒不同，它起着二极管的作用。由于半导体-金属界面上的分子结构可能是不连续的，因此可能会出现表面不规则、晶体缺陷或其它异常现象。当强电场作用于含有这些缺陷的半导体-金属界面时，会有所谓的泄漏电流（IR）流动。在具有传统结构的SBD中，耗尽区延伸到半导体侧（如下所示），导致电荷（或电子）产生的电场在半导体-金属界

12月15日，万润科技发布公告称，结合自身经营发展需要，公司与武汉润福、武汉润禄、武汉润金、武汉润鸿、武汉润赢、武汉润意共同投资设立湖北长江万润半导体技术有限公司（简称“万润半导体”）。根据公告，万润半导体的注册资本为3500万元，其中万润科技以自有资金出资3150万元持有万润半导体90%的股权；武汉润福以自有资金出资63万元持有万润半导体1.8%的股权；武汉润禄以自有资金出资63万元持有万润半导