全球移动芯片行业迎来里程碑突破，三星正式推出全球首款量产2nm移动SoC芯片Exynos2600，基于先进的GAA（环绕栅极）工艺打造，将首发搭载于明年推出的GalaxyS26系列旗舰设备，率先拉开2nm手机时代序幕。这款10核ARM架构芯片性能全面跃升，CPU性能较前代提升39%，NPU算力暴涨113%，可高效处理大规模设备端AI任务；GPU采用最新Xclipse设计，图形性能翻倍，光线追踪能力

11月22日，手机芯片圈传来重磅消息：三星明年上半年登场的GalaxyS26系列，将搭载全球首款2nm手机芯片——Exynos2600，更关键的是，这颗旗舰芯片的采购价有望比高通骁龙8E5（第五代骁龙8至尊版）低20-30美元，性价比优势直接拉满。根据曝光信息，GalaxyS26系列仍将推出GalaxyS26、S26+和S26Ultra三款机型，但芯片配置有所区分。其中，GalaxyS26与S26

半导体行业的人才流动从未如此牵动神经。11月18日，据中国台湾媒体LTN报道，前台积电企业策略发展资深副总经理罗唯仁——这位手握超15000项专利的半导体“泰斗”，已在上月底正式加盟英特尔担任研发副总裁。而更令人关注的是，伴随他的入职，台积电2nm先进制程的核心机密安全已被推至风口浪尖。时间线的巧合充满想象空间。今年7月底，75岁的罗唯仁从服务21年的台积电退休；仅三个月后，他便“重返老东家”——

三星在先进制程赛道终于迎来关键突破。据韩国媒体报道，其2nm制程良率已提升至50%~60%，距离年底量产目标更近一步。更具冲击力的是，中国两大矿机巨头比特微电子（MicroBT）与嘉楠科技（Canaan）已敲定合作，将采用三星2nm制程开发下一代矿机芯片，为三星先进制程代工业务注入强心剂。作为三星晶圆代工的战略级技术，2nm制程延续了3nm上率先应用的环绕栅极（GAA）晶体管架构，但性能与能效的实